艾思荔冷热冲击试验箱厂家

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芯片高低温测试设备性能指标保护措施

芯片高低温测试设备性能指标保护措施

    芯片高低温测试设备性能指标保护措施:

    芯片高低温测试设备性能指标保护措施

    1、可靠的接地保护装置  

    2、电源欠压、缺相保护  

    3、独立的工作室超温保护  

    4、制冷机超压、过载、油压欠压保护;  

    5、加热器短路、过载保护  

    6、漏电保护、报警声讯提  

    芯片高低温测试设备规格型号及技术参数:

    1.温度范围:-20~+150℃/-40~+150℃/-50~+150℃/-60~+150℃/-70~+150/-85~+150℃。  

    2.控制稳定度:±0.5℃  

    3.分布均匀度:±1.5℃  

    4.正常升温时间:-+20℃~+150℃小于45分钟非线性空载。  

    5.正常降温时间:+20~-20℃小于45分钟/+20~-40℃小于60分钟/+20~-50℃小于65分钟.  

    +20~-60℃小于70分钟/+20~-70℃小于75分钟/20~-85℃小于100分钟非线性空载.  

    适合测试:锂离子、镍氢、镍镉、铅酸、金属氢化物镍等多种类型的单体电池和电池组,依据标准GB8897.4-200(idtIEC60086-4:2000)《原电池第4部分:锂电池的要求》、GB8897.5-2006(idtIEC60086-5:2005)《原电池第5部分:水溶液电解质电池的要求》、IEC62133:2002《碱性或其它非酸性电解液二次单体电池和电池组便携式密封二次单体电池和电池组的要求》、IEC61951-1:2003《含碱性或其它非酸性电解质的便携式密封可再充电电池和电池组第1部分:  

    芯片高低温测试设备执行标准:  

    1.GB10586-2006湿热试验箱技术条件(本公司为起草单位之一)  

    2.GB10589-2008低温试验箱技术条件(本公司为起草单位之一)  

    3.GB10592-2008芯片高低温测试设备技术条件(本公司为起草单位之一)  

    4.GB11158-2006高温试验箱技术条件(本公司为起草单位之一)  

    5.GB/T2423.1-2001试验A:低温试验方法  

    6.GB/T2423.2-2001试验B:高温试验方法  

    7.GB/T2423.3-1993试验Ca:恒定湿热试验  

    8.GB/T2423.4-1993试验Db:交变湿热试验方法  

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